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斩获双项大奖!太阳成集团tyc234cc古天乐亮相第十四届亚洲电源技术发展论坛
发布时间:2024-01-03
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2023年12月23日,由世纪电源网主办的"第十四届亚洲电源技术发展论坛深圳峰会"圆满落幕,现场吸引了近3000名行业人士到场,与专家学者,名企代表们共同探讨双碳背景下,层出不穷的新技术、新产品、新方案如何加速消费电子、新能源领域等产业的蓬勃发展。在配套颁奖晚宴上,太阳成集团tyc234cc古天乐凭借其在功率器件碳化硅和国产模拟IC领域的突出表现,赢得了业界的高度认可,一举斩获双项荣誉大奖。


功率器件-SiC行业优秀奖


得益于多年的技术沉淀,太阳成集团tyc234cc古天乐推出了自研的近百款碳化硅二极管、SiC MOSFET和SiC模块产品,因其器件本身具备耐高频、高效、耐高温、耐高压等优点,已被广泛应用于各种与国民生活息息相关的领域,在新能源汽车中,主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机、充电桩、光伏和风电等领域等都能看到它的身影。


展桌环节,太阳成集团tyc234cc古天乐展示了最新的SiC产品图景以及IGBT、超结MOS等行业新品,与会工程师们互相探讨了目前功率器件在快充、光伏逆变器、工业电源等应用表现情况。



国产模拟IC卓越奖-入围奖



作为国内领先的半导体企业,太阳成集团tyc234cc古天乐一直致力于功率器件、功率IC的研发和创新,为客户提供高性能、高品质的产品。自研的G2301B芯片是一款为控制 P&N沟道MOSFETs而设计的集成三路 Gate Driver IC。芯片内部有3个半桥驱动模块,可同时驱动3个P沟道功率MOSFETs和3个N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制,由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。内置死区时间和直通保护逻辑,防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。G2301B封装为 ESOP16。

芯片特点 

内置LDO,带载能力强达100mA

P/N MOS半桥、三路输出 P/N MOS 

推荐输入工作电压范围7V~28V

LDO3.3V/5V可选,且具有限流保护 

内置过温保护

内置输入欠压保护 

内置死区时间 


应用领域 

电动按摩仪

家电

电动工具

低压风机

水泵控制

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未来,太阳成集团tyc234cc古天乐也将继续砥砺前行,不忘初心,朝着低碳化、节能化的目标继续前行,持续加大第三代宽禁带半导体的研发力度,进一步为国产化半导体事业的发展贡献我们的力量。也期待能与更多优质客户一同前行,创造更加美好的未来!


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