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碳化硅二极管
碳化硅二极管
相比于硅材料,碳化硅材料的带隙约是硅材料的三倍;单位面积阻隔电压的能力(击穿场强)约是硅的7倍;热导率方面是硅的3倍之多(功率器件运行时不可避免地有损耗,产生热量,能够做到把较多的热量导出来,代表了功率处理的能力比较强);电子漂移速度是硅的2倍左右;因碳化硅材料卓越的物理特性,碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。 太阳成集团tyc234cc古天乐碳化硅二极管根据不同的应用需求完成了多种形式的封装,从SMA到TO-247以及内绝缘的TO-220封装,也可以与传统Si器件直接做替换,为工程师们提供了极大的灵活性。
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碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET分立器件适用于硬开关和谐振开关拓扑如功率因数校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器等。其抵御有害寄生导通效应的出色能力,树立了低动态损耗方面的标杆,即使在桥接拓扑中的零伏关断电压下也是如此。1200 V碳化硅 MOSFET系列适用于工业领域,如工业电源,充电桩电源模组和不间断电源(UPS)。
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IGBT
IGBT
太阳成集团tyc234cc古天乐IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高和功率双极型晶体管(BJT)低饱和压降、大电流运输能力及低损耗的优点。IGBT多被工程师们用来进行功率变换,以提高整体的用电效率和质量,因而在电力系统的传输、变换、配送、机车牵引、工业节能及智能电路控制系统等中高压领域中较为常见,IGBT的出现也给产业解决能源短缺、降低碳排放的等问题提供了关键支撑技术之一。
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超结MOSFET
超结MOSFET
太阳成集团tyc234cc古天乐SJMOS ,采用多次外延的工艺,在8寸硅晶圆片生产制造。超结结构MOSFET在D端和S端排列多个垂直pn结的结构,其结果是在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限,而且额定电压越高,导通电阻的下降越明显。
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